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電磁兼容測(cè)試?yán)鳎阂晃膸懔私釺EM小室
2025-04-14 10:53:06 132

2 GHz的橫電磁波(TEM)小室,能夠產(chǎn)生均勻橫電磁場(chǎng),用于測(cè)試小型集成電路,如芯片、無(wú)線通信模塊等。

測(cè)試輻射發(fā)射時(shí),集成電路在小室中發(fā)射的輻射場(chǎng)可以通過(guò)端口使用電磁波接收器進(jìn)行測(cè)量。

測(cè)試抗擾度時(shí),通過(guò)小室的輸入端口施加的外部測(cè)試信號(hào)在小室內(nèi)導(dǎo)體上方產(chǎn)生TEM測(cè)試場(chǎng)。




適用標(biāo)準(zhǔn)及參數(shù)



圖片



IEC 61967-2

IEC 61967-2 集成電路電磁發(fā)射測(cè)量 150kHz~1GHz 第2部分:輻射發(fā)射測(cè)量 TEM小室法;


SAE J1752/3

SAE J1752/3 ?集成電路 TEM/寬帶TEM(GTEM)小室法的輻射發(fā)射測(cè)量;TEM 小室(150 kHz 至 1 GHz)、寬帶 TEM 小室(150 kHz 至18 GHz);


IEC 62132-2

IEC 62132-2 集成電路電磁抗擾度測(cè)量 第2部分:輻射抗擾度測(cè)量 TEM小室和GTEM小室法;



規(guī)格參數(shù)



頻段:DC – 2 GHz


阻抗:50Ω?± 5 %


電壓駐波比:DC-3GHz<1.25


插入損耗:DC-2GHz<1dB


回波損耗:DC- 2GHz>20dB


射頻接口:N型接口


待測(cè)電路板尺寸:100×100mm

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